IRF6603TR1【PDF 2/12 页】MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

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IRF6603

Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

BV DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

30

–––

–––

V

V GS = 0V, I D = 250μA

?Β V DSS / ? T J

Breakdown Voltage Temp. Coefficient

–––

28

–––

mV/°C Reference to 25°C, I D = 1mA

R DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

–––

2.4

3.4

m ?

V GS = 10V, I D = 25A

–––

3.9

5.5

V GS = 4.5V, I D = 20A

V GS(th)

? V GS(th) / ? TJ

I DSS

Gate Threshold Voltage

Gate Threshold Voltage Coefficient

Drain-to-Source Leakage Current

1.4

–––

–––

–––

–––

-6.3

–––

–––

2.5

–––

30

50

V

mV/°C

μA

μA

V DS = V GS , I D = 250μA

V DS = 24V, V GS = 0V

V DS = 30V, V GS = 0V

–––

–––

100

V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 70°C

I GSS

gfs

Q g

Q gs1

Q gs2

Q gd

Q godr

Q sw

Q oss

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Forward Transconductance

Total Gate Charge

Pre-Vth Gate-to-Source Charge

Post-Vth Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain Charge

Gate Charge Overdrive

Switch Charge (Q gs2 + Q gd )

Output Charge

–––

–––

56

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

48

15.6

5.2

16.1

11.1

21.3

28

100

-100

–––

72

–––

–––

–––

–––

–––

–––

nA

S

nC

nC

V GS = 20V

V GS = -12V

V DS = 15V, I D = 20A

V DS = 15V

V GS = 4.5V

I D = 20A

See Fig. 16

V DS = 16V, V GS = 0V

R G

t d(on)

t r

Gate Resistance

Turn-On Delay Time

Rise Time

–––

–––

–––

1.0

20

9.9

2.0

–––

–––

?

V DD = 15V, V GS = 4.5V

I D = 20A

t d(off)

t f

C iss

C oss

C rss

Turn-Off Delay Time

Fall Time

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

–––

–––

–––

–––

–––

24

71

6590

1250

520

–––

–––

–––

–––

–––

ns

pF

Clamped Inductive Load

V GS = 0V

V DS = 15V

? = 1.0MHz

Avalanche Characteristics

Parameter

Typ.

Max.

Units

E AS

I AR

E AR

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

–––

–––

–––

49

20

4.1

mJ

A

mJ

Diode Characteristics

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

I S

Continuous Source Current

–––

–––

38

MOSFET symbol

D

(Body Diode)

A

showing the

I SM

Pulsed Source Current

–––

–––

200

integral reverse

G

(Body Diode)

p-n junction diode.

S

V SD

t rr

Q rr

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

–––

–––

–––

1.0

45

60

1.3

68

90

V

ns

nC

T J = 25°C, I S = 20A, V GS = 0V

T J = 25°C, I F = 20A

di/dt = 100A/μs

2

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